Das EDO-RAM wurde eine Nachfolge des FPM-RAMs. EDO bedeutet Extended Data Out. Diese EDO-RAM-Bausteine wurden auch als Hyper Page Mode RAM bezeichnet. Diese EDO-RAMs sind speziell gefertigte Chips, die eine Timing-*berschneidung zwischen aufeinander folgenden Zugriffen ohne Einwände zulassen. Die Bezeichnung EDO kommt daher, dass im Gegensatz zu den FPM-RAM die Treiber zur Datenausgabe nicht abgeschaltet werden, sobald der Speichercontroller eine Spaltenadresse löscht, um einen neuen Zyklus zu beginnen. So könnte der alte Zyklus mit dem neuen *berschneiden, was eine Beschleunigung von bis zu 10 ns zur Folge hat.
Diese Verkürzung kann daher erfolgen, dass der Speichercontroller in der Lage ist, neue Adressen zu schreiben, während bei der aktuellen noch Daten auslie*t. Das ist im Prinzip der gleiche Effekt wie beim Interleaving, mit dem Unterschied, dass bei EDO keine zwei Speicherbänke benutzt werden müssen, sondern das alles innerhalb einer Speicherbank abläuft.
Der Burst-Modus läuft beim EDO-RAM mit einem Timing von 5-2-2-2 im Gegensatz zum FPM-RAM, das noch mit einem Timing von 5-3-3-3 lief. Das hei*t, dass das EDO-RAM für einen Speichertransfer nur 11 ganze Systemzyklen benötigt, anstatt 14 ganzen Systemzyklen beim alten FPM-RAM. Das ist eine Steigerung um 22%. In der Praxis fällt diese Leistungssteigerung jedoch nur mit einem Plus von 5% aus. So erscheint die gesamte Leistungssteigerung nur minimal. Der Punkt ist aber, dass bei EDO-RAMs noch die alten DRAM-Bausteine benutzt werden, sodass keine zusätzlichen Kosten bei der Herstellung entstehen. Man kann also sagen, dass ein EDO-RAM-Baustein genauso viel kostet wie ein FPM-RAM-Baustein, dafür aber eine höhere Leistung erbringt.
Um den EDO-Speicher aber nutzen zu können, muss der Chipsatz auf dem Mainboard diesen auch unterstützen. Durch die Tatsache, das der EDO-Speicher genauso viel kostet wie die älteren Speicher und trotzdem eine bessere Leistung erzielt, und deswegen, dass Intel begann, mit jedem Chipsatz den EDO-Speicher zu unterstützen, konnte sich dieser sehr schnell auf dem Markt durchsetzen.
Der EDO-RAM eignete sich am besten für Systeme bis zum Jahre 1997. Danach wurde die Nachfrage nach EDO-RAMs immer weniger, da sich die neue Architektur, die SDRAMs zum Standard durchsetzten konnten. SDRAM steht für Synchronous DRAM. Mehr zu den SDRAM erfahren Sie im nächsten Artikel.
Eine Erweiterung des EDO-RAMs war der sogenannte Burst-EDO-RAM bzw. BEDO-DRAM. Dieser Begriff steht für Burst Extended Data-Out Dynamic Random Access Memory. Diese Speicherart arbeitete genau gleich wie der normale EDO-RAM, mit dem Unterschied, dass es eine spezielle Burst-Funktion besa*. Jedoch wurde diese Art nur von einem einzigen Chipsatz unterstützt und sowieso sofort von den SDRAM abgelöst.
